Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW 1 ТБ UA

Где купить Описание Характеристики Отзывы 6

Ожидается поступление

Характеристики

Samsung внутренний DRAM буфер

Общее

Производитель:

Samsung

Характеристики

Тип :

внутренний

Функции и возможности:

DRAM буфер

Объем :

1000 ГБ

Форм-фактор :

2.5"

Контроллер :

Samsung MKX

Буферная память :

1024 МБ

Тип памяти :

3D TLC NAND / Samsung 128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND /

Внешняя скорость записи :

530 МБ/с

Внешняя скорость считывания :

560 МБ/с

Наработка на отказ :

1.5 млн. ч

IOPS записи :

88 тыс

IOPS считывания :

98 тыс

TBW :

600 ТБ

DWPD :

0.3 раз/день

Гарантия производителя :

5 лет

Размеры:

100x70x7 мм

Вес:

45 г

Официальный сайт:

semiconductor.samsung.com

Дата добавления на E-Catalog:

январь 2021

Ударостойкость при работе :

1500 G

TRIM :

Шифрование данных :

Разъем :

SATA 3

Комментарий:

Выделенный кэш. 128-слойная память. Фирменный контроллер MKX Metis. Низкие просадки скорости при загрузке диска. 5-летняя гарантия.