Описание

Емкость: 512 ГБ; Контроллер: Silicon Motion SM2269XT; Форм-фактор: M.2; Тип памяти NAND: 3D TLC; Поддержка NVMe: есть; Максимальная скорость чтения: 5200 МБ/с; Максимальная скорость записи: 3900 МБ/с; Время наработки на отказ: 1500000 ч;