Описание

Емкость: 512 ГБ; Тип памяти NAND: 3D; Форм-фактор: M.2; Максимальная скорость чтения: 2000 МБ/с; Максимальная скорость записи: 1600 МБ/с; Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 240000; Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 60000; Ресурс TBW: 160 ТБ;